第三代半导体被纳入十四五规划。5G时代下,第三代半导体优势明显。与一二代相比,第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和速度以及更高的抗辐射 能力,更适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。SiC、GaN为代表的第三代半导体材料在新能源汽车、高速轨道交通、新一代移动通信、智能电网等众多领域有着广阔的应用前景,未来将成为能源、交通、国防等产品的重要新材料。
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回顾半导体产业的发展历程,其先后经历了以硅(Si)为代表的第一代半导体材料,以砷化镓(GaAs)为代表的第二代半导体材料,在上个世纪,这两代半导体材料为工业进步、社会发展做出了巨大贡献。而如今,以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化锌、金刚石、氮化铝为代表的宽禁带半导体材料被统称为第三代半导体材料。
目前市场炒作方向主要为氮化镓LED外延片和芯片的创业板光电子类相关标的,从中长期看新能源汽车、新一代移动通信、快速充电为第三代半导体材料的广域应用场景。