第三代半导体被纳入十四五规划。5G时代下，第三代半导体优势明显。与一二代相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和速度以及更高的抗辐射 能力，更适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。SiC、GaN为代表的第三代半导体材料在新能源汽车、高速轨道交通、新一代移动通信、智能电网等众多领域有着广阔的应用前景，未来将成为能源、交通、国防等产品的重要新材料。
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回顾半导体产业的发展历程，其先后经历了以硅（Si）为代表的第一代半导体材料，以砷化镓（GaAs）为代表的第二代半导体材料，在上个世纪，这两代半导体材料为工业进步、社会发展做出了巨大贡献。而如今，以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化锌、金刚石、氮化铝为代表的宽禁带半导体材料被统称为第三代半导体材料。
目前市场炒作方向主要为氮化镓LED外延片和芯片的创业板光电子类相关标的，从中长期看新能源汽车、新一代移动通信、快速充电为第三代半导体材料的广域应用场景。
